وصف المنتجات
مع تطبيق واسع النطاقكربيد السيليكونأجهزة الطاقة ذات ترانزستور تأثير حقل أشباه الموصلات (MOSFET) لأكسيد الفلز، يجب حل مشاكل موثوقية البوابة التي تواجهها بشكل عاجل، وتستعرض هذه الورقة هيكل البوابة لأجهزة الطاقة MOSFET العمودية ذات البوابة المستوية SiC وطرق فحص أكسجين البوابة شائعة الاستخدام في الصناعة، وتقدم النماذج الفيزيائية للفشل المبكر لبوابة الأكسجين، وتناقش قابلية التطبيق بين هذه النماذج الفيزيائية وطرق الفحص.
معلمات المنتجات
| نموذج | عنصر ٪ | |||
| 60# | كربيد كربيد | FC Fe2O3 | ||
| 65# | 60min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 70# | 65min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 75# | 70min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 80# | 75min | 15-20 | 8-12 | 3.5max |
| 85# | 80min | 3-6 | 3.5max | |
| 90# | 85min | 2.5max | 3.5max | |
| 95# | 90min | 1.0max | 1.2max | |
| 97# | 95min | 0.6max | 1.2max | |
صورة التعاون المنتجات
1.الكربون/كربيد السيليكونهو نوع جديد من مواد مقاومة الاحتكاك عالية الأداء المعتمدة على السيراميك والتي تم تطويرها في السنوات الأخيرة، والتي تتمتع بسلسلة من المزايا مثل الكثافة المنخفضة ومقاومة الأكسدة الجيدة وأداء الاحتكاك العالي والأداء المستقر، ولها نطاق واسع من آفاق التطبيق في مجال فرامل الحمل عالية الطاقة مثل القطارات عالية السرعة والطائرات والمركبات الثقيلة. يعد التشريب بالذوبان التفاعلي طريقة فعالة لتحضير مركبات الاحتكاك من كربيد الكربون/السيليكون. استنادًا إلى تصميم مركبات الاحتكاك من كربيد الكربون/السيليكون، يتم تحليل الظروف الديناميكية الحرارية لعملية اختراق الذوبان التفاعلي، والخصائص الأساسية والقوانين الحركية لنظام تفاعل Si-C بعمق. في هذا البحث، تمت مناقشة خصائص البنية المجهرية وخصائص الاحتكاك والتآكل لاثنين من مركبات C/SiC النموذجية، مثل قولبة الألياف القصيرة والوخز بالإبر ثلاثية الأبعاد، بشكل منهجي. وفي الوقت نفسه، يتم تحليل تطبيق طرق الكشف الهندسي المتقدمة مثل التصوير الحراري بالأشعة تحت الحمراء، ونقل الأشعة السينية والأشعة المقطعية الصناعية في المكونات المركبة للاحتكاك من كربيد الكربون/السيليكون.
الوسم : واحدة من كربيد السيليكون عالي المستوى للمعادن، الصين واحدة من مصنعي كربيد السيليكون عالي المستوى للمعادن والموردين والمصنع