وصف المنتجات
تم العثور على مجهرات فسيليكون متبلور جزئيانيتريد السيليكونالأفلام التي أعدتها LPCVD. اعتمادًا على الظروف المتنامية والعملية ، يتراوح حجم الهيكل من عشرات إلى مئات من النانومتر. استنادًا إلى نتائج اختبار الإجهاد ونتائج مراقبة المجهر الإلكترونية في انتقال الأفلام SINX التي تزرع في ظل ظروف مختلفة ، تم تحليل نشأة البنية المجهرية لأفلام SINX الغنية بالسيليكون وتفاعلها مع الإجهاد في الفيلم ، وتم تحديث الإجهاد بشكل كبير في الفيلم ، وعملية النمو غير المحسوسة. 40mm × 40mm. استنادًا إلى نتائج هذه الدراسة ، تم تحقيق النمو المتحكم فيه لأغشية Sinx مع إجهاد الشد المحدد بواسطة LPCVD.
معلمات المنتجات
| درجة | N | سي | كاليفورنيا مين | يا دقيقة | ج مين | آل مين | Fe Min |
| si3n 485-99 | 32-39 | 55-60 | 0.25 | 1.5 | 0.3 | 0.25 | 0.25 |
صورة تعاون المنتجات
1.نيتريد السيليكونتم تحضير الأفلام الرقيقة (Sin _ x) بواسطة تقنية ترسب البخار الكيميائي المنخفض (LPCVD) باستخدام Silane و Ammonia كمصادر السيليكون والنيتروجين ، على التوالي ، ونتروجين عالي النقاء كغاز ناقل. تمت دراسة حركيات النمو للأفلام sin _ x بواسطة ellipsometry ، تم تمييز خصائص الأفلام sin _ x من التحليل الطيفي للأشعة تحت الحمراء و microscopy microscopy microscopy microscopy. في ظل نفس الشروط للعمليات الأخرى ، يزيد معدل نمو الفيلم الخطيئة _ x بشكل رتابة مع زيادة ضغط العمل ، ونسبة (R) معدل تدفق الأمونيا إلى Silane في غاز التغذية لها تأثير معاكس على معدل نمو الفيلم. مع زيادة درجة حرارة التفاعل ، يزداد معدل الترسيب تدريجياً ، ويصل إلى الحد الأقصى حوالي 840 درجة ثم يتناقص بسرعة. عند استخدام R2 ، يتم الحصول على فيلم SIN-RICH SIN _ x (x1.33). عند استخدام R4 ، يتم الحصول على فيلم Sin _} X مع STOICHIOMETRIC (Z≈1.33).
الوسم : نيتريد سيليكون عالي المستوى ، الصين على مستوى عالٍ من مصنعي نيتريد السيليكون والموردين والمصنع